CMT01N60N252,CMT01N60N252 pdf中文资料,CMT01N60N252引脚图,CMT01N60N252电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMT01N60N252

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CMT01N60N252: 产品描述power field effect transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小243KB，共8页; 制造商虹冠电子(Champion); 电源控制管理IC芯片是提升电子设施及产品省电效能的首要关键。拥有美国硅谷最先进技术作为后盾的虹冠电子，投入AC-DC模拟电源IC专业设计多年，始终秉持落实节能减碳，为绿化世界而奋斗的理念，让节能省电的效能，彻底在全球的生活中实现。

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CMT01N60N252概述

power field effect transistor

CMT01N60N252规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	虹冠电子(Champion)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	20 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1 A
最大漏极电流 (ID)	1 A
最大漏源导通电阻	8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	9 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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